半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997198846
Publication number (International publication number)：1999045880
Application date： Jul. 24, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】CVD法での薄膜成膜でこの成膜の下地材料依存性をなくし、半導体基板上の面内均一性を向上させる。【解決手段】半導体基板上に化学気相成長法で薄膜を成膜する方法であって、前記成膜過程を2ステップに分けて、同一の反応ガスである成膜の第1ステップと成膜の第2ステップとを有して成る。ここで、前記成膜の第1ステップでは、反応炉に導入する前記反応ガスの流量は前記第2ステップの場合より小さくなるように、また、前記反応炉内での反応ガスの圧力は前記第2ステップの場合より高くなるように設定されている。あるいは、前記成膜の第1ステップでは、前記反応ガスの前記反応炉内でのガス流速が前記第2ステップの場合より小さくなるように設定されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に化学気相成長法で薄膜を成膜する方法であって、前記成膜過程を2ステップに分けて、同一の反応ガスである成膜の第1ステップと成膜の第2ステップとを有して成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/31 , C23C 16/30 , C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/318

FI (5)：

H01L 21/31 B , C23C 16/30 , C23C 16/44 D , H01L 21/205 , H01L 21/318 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

薄膜トランジスタのための多段階CVD法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-020275 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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