半導体薄膜、この膜の形成方法及びこの膜の形成装置並びにこの膜を備えた半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西野卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046984
Publication number (International publication number)：1993246794
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、微結晶相を含む非晶質半導体を形成する方法において、従来技術では制御ができなかった、微結晶とアモルファスとを独立に制御し、粒径の大きな微結晶相と特性の優れたアモルファス相を持つ薄膜を大面積に形成しようとすることを目的とする。【構成】微結晶相を含む非晶質半導体薄膜をプラズマCVD法で形成する際に原料として、半導体元素を含むガスとその半導体の微粒子結晶を用いることを特徴とした半導体薄膜の形成方法である。この時、非晶質半導体薄膜中に粒径50〜1000Åの微結晶相を体積比で5〜80%含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

膜中に粒径が50〜1000Åである微結晶相を体積比で5〜80%含むことを特徴とした半導体薄膜。

IPC (6)：

C30B 25/02 , C23C 14/54 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 31/04 , H01L 29/784

FI (3)：

H01L 31/04 B , H01L 31/04 V , H01L 29/78 311 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平3-219622
シリコン膜製造方法及びシリコン膜製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-209162 Applicant：松下電器産業株式会社

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