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J-GLOBAL ID：200903000817952637

SOI基板及びその製造方法

Inventor： 石神 俊一郎 ,  降屋 久
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995052258
Publication number (International publication number)：1996250688
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 シリコンウェーハを2枚貼り合わせて作られる絶縁層上のSOI層の酸素析出物の密度が小さく、スリップに起因したデバイスの電気的特性に悪影響を及ぼさない。【構成】 第1シリコンウェーハ11と第2シリコンウェーハ12とを絶縁層13を介して接合する。接合した両ウェーハを室温状態から30〜50°C/秒の昇温速度で1000〜1200°Cまで急速加熱して10〜600秒保持する特徴ある前熱処理を行う。更に両ウェーハを1100°Cで1〜3時間熱処理して貼り合わせた後、シリコンウェーハ11又は12を所定の厚さに研削研磨してデバイス形成用のSOI層12aを有するSOI基板を得る。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハ(11)上に絶縁層(13)が形成され、前記絶縁層(13)上にデバイス形成用のSOI層(12a)が形成されたSOI基板において、前記絶縁層(13)との界面からの深さが50μm以下の領域のSOI層(12a)の酸素析出物密度が1×106/cm3〜1×109/cm3であることを特徴とするSOI基板。

IPC (3)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/322

FI (3)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/322 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-068105   Applicant：株式会社日本自動車部品総合研究所
• 特開平1-259539
  
• 特開平2-237121
  
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-062973   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社