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J-GLOBAL ID：200903000823004821

処理装置

Inventor：
松山 雄二

About 松山 雄二


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 金本 哲男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999220227
Publication number (International publication number)：2000124128
Application date： Aug. 03, 1999
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 基板の大型化に伴い,加熱処理装置が大型化しても温度によるレジスト膜の膜厚変化を抑制する。【解決手段】 レジスト塗布装置群20近傍にウェハWを冷却処理する各種の冷却系処理装置を有する第1冷却処理装置群70及び第2冷却処理装置群80を配置し,現像処理装置群30近傍にウェハWを加熱処理する各種の加熱系処理装置を有する第1加熱処理装置群90及び第2加熱処理装置群100を配置する。冷却処理装置群70,80の間に第1搬送装置50を,加熱処理装置群90,100の間に第2搬送装置60を夫々備え,搬送装置50,60の間にウェハWを載置自在な受け渡し台40を備える。第1搬送装置50は,レジスト塗布装置群20と,受け渡し台40と,冷却処理装置群70,80との間でウェハWを搬送する。
Claim (excerpt)：
基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置と,基板に現像液を供給する現像処理装置と,基板を冷却する複数の冷却処理装置と,基板を加熱する複数の加熱処理装置と,基板を保持部材に保持させた状態で搬送する搬送装置とを備えた処理装置であって,前記複数の冷却処理装置は多段に積み重ねられて冷却系処理装置をなし,前記複数の加熱処理装置は多段に積み重ねられて加熱系処理装置をなし,前記レジスト塗布装置近傍に前記冷却系処理装置が配置され,前記現像処理装置近傍に前記加熱系処理装置が配置され,前記レジスト塗布装置と現像処理装置との間に前記搬送装置が配置されたことを特徴とする,処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/68
FI (7)：
H01L 21/30 569 C ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/30 502 J ,  H01L 21/30 502 H ,  H01L 21/30 564 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 処理装置及びその制御方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-119221   Applicant：ソニー株式会社
  • 基板処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-199937   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社

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