窒化ガリウム系化合物半導体の電極

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998099585
Publication number (International publication number)：1998270757
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【目的】 p-n接合型の窒化ガリウム系化合物半導体を利用した発光素子の発光出力、発光効率を向上させるための窒化ガリウム系化合物半導体のn型層、およびp型層とオーミック接触が得られる電極を提供する。【構成】基板上に成長されたノンドープGaN層の上に、電子キャリア濃度1×1017/cm3以上のn型窒化ガリウム系化合物半導体が成長され、そのn型窒化ガリウム系化合物半導体に、オーミック接触する電極が形成されている。p電極はノンドープGaN層の上に、正孔キャリア濃度1×1015/cm3以上のp型窒化ガリウム系化合物半導体が成長され、そのp型窒化ガリウム系化合物半導体に、オーミック接触する電極が形成されている。

Claim (excerpt)：

基板上に成長されたノンドープGaN層の上に、電子キャリア濃度1×1017/cm3以上のn型窒化ガリウム系化合物半導体が成長され、そのn型窒化ガリウム系化合物半導体に、オーミック接触する電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-085492 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平3-203388
特開平4-242985

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