連続したハイドライド気相エピタキシャル法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：恩田博宣 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000617239
Publication number (International publication number)：2003517416
Application date： Apr. 13, 2000
Publication date： May. 27, 2003
Summary：

【要約】成長温度において基盤上に複数のエピタキシャル層を連続して形成する工程(41)を含む、人工基盤(40)上にIII -V 族化合物の比較的厚いエピタキシャル膜を形成する方法。エピタキシャル成長を再開する(45,46)前に、基盤および連続的に成長した各エピタキシャル層を成長温度より低い温度まで冷却する(42)ことで、サンプル内の応力は定期的に緩和される。連続的エピタキシャル成長は、システムエッチング(44)と組み合わされて、より粉砕しにくくかつ表面形態が改良されたエピタキシャル層を提供する。HClをソースガスおよびエッチングとして使用する連続的ハイドライド気相エピタキシャル法では、連続的デポジションとシステムエッチングプロセスを統合し単一プロセス(47、48)とすることができる。

Claim (excerpt)：

エピタキシャル膜を提供するために人工基盤上へIII -V 族化合物を連続的にエピタキシャル成長させる方法であって、 a)HVPE反応炉の中に基盤を配置するステップと、 b)III -V 族/基盤サンプルを提供するために成長温度においてHVPEで基盤上にエピタキシャル層を形成するステップと、 c)III -V 族/基盤サンプルを反応炉から取り出すステップと、 d)エッチングガスをHVPE反応炉に通過させるステップと、 e)HVPE反応炉の中にIII -V 族/基盤サンプルを配置するステップと、 f)III -V 族/基盤サンプル上に成長温度においてHVPEでエピタキシャル層を形成するステップと、 g)エピタキシャル膜が目的の厚さになるまで連続して前記ステップc)からf)を反復するステップと、 h)室温までエピタキシャル膜を冷却するステップであって、室温に冷却する際に多層エピタキシャル膜が完全なままであるステップと、からなる方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 , C23C 16/34 , C30B 25/02 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (6)：

C30B 29/38 D , C30B 29/38 C , C23C 16/34 , C30B 25/02 Z , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (50)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EA10 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 4G077TA07 , 4G077TB04 , 4G077TC14 , 4G077TC15 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB19 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045CA06 , 5F045CA11 , 5F045CA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開昭64-030211
特開平3-080198
3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-154411 Applicant：住友化学工業株式会社

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