3-5族化合物半導体の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998154411
Publication number (International publication number)：1999112030
Application date： Jun. 03, 1998
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高品質の3-5族化合物半導体を、ドーパントのメモリ効果を低減して繰り返し製造する方法を提供する。【解決手段】〔1〕一般式InxGayAlzNで表される、有機金属気相成長法による3-5族化合物半導体の製造方法において、p型ドーパントをドープしない層からなる半導体層を成長させる反応炉と、p型ドーパントをドープする反応炉とを互いに異なるものとする3-5族化合物半導体の製造方法。〔2〕一般式InxGayAlzNで表される、有機金属気相成長法による3-5族化合物半導体の製造方法において、例えばp型ドーパントをドープしない層からなる1層または2層以上を含む半導体を、一つの反応炉で成長させ、これを反応炉の外に取り出す工程を複数回繰り返す3-5族化合物半導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

p型ドーパントをドープしない層からなる半導体層と、p型ドーパントをドープする層を含む半導体層とを有する一般式InxGayAlzN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される、有機金属気相成長法による3-5族化合物半導体の製造方法において、p型ドーパントをドープしない層からなる半導体層を成長させる反応炉と、p型ドーパントをドープする反応炉とを互いに異なるものとすることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , C30B 29/40 502 , H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C , C30B 29/40 502 H , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭61-083700
3-5族化合物半導体及び発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-218861 Applicant：住友化学工業株式会社
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-061890 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Show all

Cited by examiner (7)

分布ブラッグ反射ミラー多層膜を有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-281960 Applicant：三菱化学株式会社
特開昭61-083700
特開平3-028192

Show all

Return to Previous Page