フッ素ドープ低誘電率絶縁膜を形成する方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：竹内澄夫 , 堀明▲ひこ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005250491
Publication number (International publication number)：2006074049
Application date： Aug. 31, 2005
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】低誘電率及び高熱安定性を有するフッ素ドープ低誘電率シリコン酸化膜を形成する方法を与える。【解決手段】容量結合プラズマCVDにより、低誘電率シリコン酸化膜を形成する方法は、シリコンソースガスとしてSiH4、フッ素ソースガスとしてSiF4、及び酸素ソースガスとしてCO2から成る処理ガスを、(SiH4+SiF4)/CO2が約0.02から約0.2の範囲となるような流量比で、かつ、全圧が約250Paから約350Paとなるように反応チャンバへ導入する工程と、約10MHzから約30MHzの周波数の第1RF電力及び約400kHzから約500kHzの周波数の第2RF電力を印加する工程であって、2つのRF電力を重畳させることにより、反応チャンバ内部にプラズマ反応場を生成するところの工程と、それぞれのガスの流量及びそれぞれのRF電力出力を制御する工程と、から成る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

容量結合プラズマCVDを使って、ほとんどまたは実質的に水素を含まないフッ素ドープシリコン酸化膜を形成する方法であって、シリコンソースガスとしてSiH4、フッ素ソースガスとしてSiF4、及び酸素ソースガスとしてCO2から成る処理ガスを、(SiH4+SiF4)/CO2が約0.02から約0.2の範囲となるような流量で、かつ、全圧が約250Paから約350Paとなるように、反応チャンバへ導入する工程と、約10MHzから約30MHzの周波数の第1RF電力及び約400kHzから約500kHzの周波数の第2RF電力を印加する工程であって、第2RF電力の強度が第1RF電力の強度より低くなるように2つのRF電力を重畳させることにより、反応チャンバ内部にプラズマ反応場を生成し、それによりほとんどまたは実質的に水素を含まないフッ素ドープシリコン酸化膜を基板上に蒸着するところの工程と、から成る方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (3)：

H01L21/316 X , H01L21/90 K , H01L21/90 P

F-Term (21)：

5F033RR11 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033XX00 , 5F033XX24 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF38 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

成膜方法、半導体装置の製造方法、および成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-322849 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

Return to Previous Page