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J-GLOBAL ID：200903045546910074

成膜方法、半導体装置の製造方法、および成膜装置

Inventor：
鈴木 洋一

About 鈴木 洋一

, 
島山 努

About 島山 努


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000322849
Publication number (International publication number)：2002141348
Application date： Oct. 23, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：
【要約】【課題】 膜質が安定なフッ素含有シリコン絶縁膜を形成できる成膜方法および成膜装置、並びに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 成膜装置10は、反応チャンバ12内に設けられた平行平板型電極16、22と、SiH4、SiF4および酸素ソース物質を含むプロセスガスを反応チャンバ12内に導入するためのガス供給源20、32、34、バルブ36、38、40、およびガス混合室28と、プロセスガスのプラズマを生成するためのRF電力を供給する電力源44と、を備える。この成膜装置10では、電力源44は、平行平板型電極16、22に1000W以上のRF電力を供給可能である。この装置10において、SiH4、SiF4およびN2Oを含むプロセスガスのプラズマを生成して、フッ素含有シリコン酸化膜をウエハ14上に堆積する。
Claim (excerpt)：
平行平板型電極を有する半導体製造装置において基板上にシリコン絶縁膜を形成する成膜方法であって、SiH4、SiF4および酸素ソース物質を含むプロセスガスをプラズマ化して、フッ素を含むシリコン絶縁膜を基板上に堆積する堆積ステップを備える成膜方法。
IPC (5)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (6)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 P
F-Term (98)：
4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA24 ,  4K030BA24 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH23 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033KK23 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN40 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX15 ,  5F033XX24 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
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