アモルファス窒化炭素組成物及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998041580
Publication number (International publication number)：1999238684
Application date： Feb. 24, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】電子材料として利用できるアモルファス窒化炭素組成物およびその製造方法を提供する。【解決手段】アモルファス窒化炭素組成物は、σ結合の結合準位に基づく広がった状態の価電子帯状態1と反結合準位に基づく広がった状態の伝導帯状態2とが(移動度端Ev と移動度端Ec とが)移動度ギャップEmgを隔てて存在する。π結合に基づく局在状態4の状態密度を小さくしてある。高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて反応性スパッタリングによりアモルファス窒化炭素組成物を基板上に堆積させ、堆積されたアモルファス窒化炭素組成物の表面に、水素ガスによる水素プラズマ処理を施すことにより上述のエネルギバンド構造を有するアモルファス窒化炭素組成物を形成している。

Claim (excerpt)：

アモルファス窒化炭素組成物であってエネルギバンド構造においてπ結合に基づく局在状態密度が小さくσ結合による広がった状態密度の方が支配的である炭素原子及び窒素原子で構成された領域が存在して成ることを特徴とするアモルファス窒化炭素組成物。

IPC (4)：

H01L 21/203 , C01B 21/082 , C23C 14/35 , H01L 31/0248

FI (4)：

H01L 21/203 S , C01B 21/082 K , C23C 14/35 , H01L 31/08 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

窒化炭素及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-090592 Applicant：株式会社東京電子冶金研究所

Return to Previous Page