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J-GLOBAL ID：200903073372032262
窒化炭素及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐々 紘造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996090592
Publication number (International publication number)：1997255314
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半導体としての性質を有する窒化炭素膜をおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 第2級もしくは第3級アミンおよびアンモニアガスをプラズマで化学的気相成長せしめる。
Claim (excerpt)：
2.0〜3.5eVの光学バンドギャップを有する窒化炭素。
IPC (4)：
C01B 21/082
, C30B 29/38
, H01L 21/205
, C23C 16/36
C01B 21/082 K
, C30B 29/38 Z
, H01L 21/205
, C23C 16/36
Cited by examiner (1)
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低圧縮性窒化炭素
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平9-525207
Applicant：カーネギーインスチチューションオブワシントン
Article cited by the Patent：
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