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J-GLOBAL ID:200903000979908887

半自動焦点式高強度ハイパワー超音波トランスデューサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2007545812
Publication number (International publication number):2008522816
Application date: Dec. 27, 2004
Publication date: Jul. 03, 2008
Summary:
基材と圧電ウエハとを含み、該基材は2層構造であり、層間に空気層が形成され、少なくとも4の圧電ウエハが基材の内壁の集束面上に接着され、圧電ウエハの表面が保護層で被覆されている、半自動焦点式高強度ハイパワー超音波トランスデューサ。
Claim (excerpt):
基材と圧電ウエハとを含み、該基材は2層構造であり、層間に空気層が形成され、少なくとも4の圧電ウエハが基材の内壁の集束面に接着され、圧電ウエハの表面が保護層で被覆されていることを特徴とする半自動焦点式高強度ハイパワー超音波トランスデューサ。
IPC (2):
B06B 1/06 ,  A61B 18/00
FI (2):
B06B1/06 Z ,  A61B17/36 330
F-Term (6):
4C060JJ13 ,  5D107AA09 ,  5D107BB07 ,  5D107CC01 ,  5D107CD03 ,  5D107FF01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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