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J-GLOBAL ID：200903001012822474

III 族窒化物レーザーダイオード

Inventor： 松井 俊之 ,  大井 明彦 ,  鈴木 健 ,  松山 秀昭 ,  上條 洋
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996274098
Publication number (International publication number)：1998107375
Application date： Sep. 25, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】劈開面をレーザー共振面とし、導電性の高い基板を有するIII 族窒化物半導体レーザを提供することにある。【解決手段】シリコン基板1および、その(1,1,1) 面である基板面上に結晶成長されたAlx Gay In1-x-y N (但し、 0≦x 、0 ≦x 、 0≦x+y ≦1 であり、x=0 、y=0 またはx=y=0 を含む)系材料の膜3Nから形成されるレーザーダイオードにおいて、前記基板の基板面以外の(1,1,1) 面S3を劈開するときに、同時に劈開される前記Alx Gay In1-x-y N 系材料膜の(1,-1,0,0)面S4をレーザーダイオードのレーザー共振器の共振面とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板および、その(1,1,1) 面である基板面上に結晶成長されたAlx Gay In1-x-y N (但し、 0≦x 、0 ≦x 、 0≦x+y ≦1 であり、x=0 、y=0 またはx=y=0 を含む)系材料の膜から形成されるレーザーダイオードにおいて、前記基板の基板面以外の (1,1,1)面を劈開するときに、同時に劈開される前記Alx Gay In1-x-y N 系材料膜の (1,-1,0,0) 面がレーザーダイオードのレーザー共振器の共振面であることを特徴とするIII 族窒化物レーザーダイオード。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-047660   Applicant：富士通株式会社