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J-GLOBAL ID：200903001082848012

ガス処理装置

Inventor： 岩田 輝夫 ,  根深 憲司
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995046344
Publication number (International publication number)：1996218172
Application date： Feb. 10, 1995
Publication date： Aug. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 処理室内のセラミックスヒータによりウエハを加熱して例えば成膜処理を行う場合、セラミックスヒータと処理室の壁部との間の給電線や端子部などの腐食を防止すること。【構成】 処理室2の底板部22を貫通する金属管5内に、絶縁チューブ40a、40bで覆われた給電線41a、41bを収納し、この金属管5をセラミックス体3に接合する。ただし金属管5の接合部分はセラミックス体と熱膨張率の近似した金属を用いる。金属管5を囲むように、不活性ガス供給管7が接続された石英よりなる保護管6を設け、この保護管6内に不活性ガスを供給して保護管6の上下両端のわずかな隙間から外へ流出させ保護管6内をパージする。

Claim (excerpt)：

被処理体に対して処理ガスにより処理を行うための気密な処理室と、この処理室の中に設けられ、被処理体を加熱するために耐熱性の絶縁体の中に抵抗発熱体を内蔵してなる加熱手段と、一端が前記抵抗発熱体に電気的に接続されると共に他端側が前記処理室の外に配線された給電路と、を含むガス処理装置において、前記加熱手段と処理室の壁部との間において前記給電路を間隙を介して取り囲むと共に、処理室内雰囲気と内部空間とは通気可能なように設けられた、耐蝕性の非金属材よりなる保護管と、この保護管内に不活性ガスを導入するためのガス導入部と、を備えたことを特徴とするガス処理装置。

IPC (6)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  C23F 1/12 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/205

FI (6)：

C23C 16/44 D ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  C23F 1/12 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• サセプタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-115528   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド