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J-GLOBAL ID:200903064752175989

サセプタ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994115528
Publication number (International publication number):1995153706
Application date: May. 27, 1994
Publication date: Jun. 16, 1995
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、フッ素系プラズマに対する耐久性に優れた気相成長装置用サセプタ及び配線の保護構造を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、気相成長反応室内に設けられるサセプタ装置において、ウエハを載置するサセプタブロック11は、窒化アルミニウムからなり、その内部には高周波電極12及び金属ヒータ13が埋設され、少なくとも側壁がセラミックから構成され、サセプタブロック11を開口端で裏面から支持する支持台2と、支持台2の周囲のガスの気圧よりも高い圧力で不活性ガスを支持台2内に流し込むことができるガス供給チューブ31、マスフローコントローラー32およびガスボンべ33とを有し、サセプタブロック11の裏面から引き出された高周波電極用配線12a及び金属ヒータ用配線13a、13bは、支持台2内を通り抜けて外部に導き出される。
Claim (excerpt):
気相成長用反応室内に設けられるサセプタ装置において、ウェハを載置するサセプタブロックは、窒化アルミニウムからなり、その内部には高周波電極及び金属ヒータが埋設されているサセプタ装置。
IPC (5):
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/06 504
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
  • 半導体ウエハー加熱装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-253678   Applicant:日本碍子株式会社
  • ウエハー加熱装置及びその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-303289   Applicant:日本碍子株式会社
  • 特開平2-086120
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