Pat
J-GLOBAL ID：200903001091775532
標準セル
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996273164
Publication number (International publication number)：1998125787
Application date： Oct. 16, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 標準セル内の基板コンタクト領域の面積を削減し、高集積な半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 トランジスタのソース領域となる拡散領域7、8と、トランジスタの基板コンタクト領域となる拡散領域9、10とを隣接させて配置し、ソース領域となる拡散領域7、8と、基板コンタクト領域となる拡散領域9、10とを金属シリサイド17により接続し、ソース領域となる拡散領域上には、電源および接地の電位を与える上層の金属配線1、2との接続を行うためのコンタクトホール13を設け、基板コンタクト領域となる拡散領域上には、コンタクトホールを設けない構成とする。これにより、基板コンタクト領域となる拡散領域に、金属シリサイドに対する位置合わせのための余裕を設ける必要がなく、標準セル面積を削減することができる。
Claim (excerpt)：
半導体集積回路装置で用いられる標準セルであって、トランジスタのソース領域となる拡散領域と、トランジスタの基板コンタクト領域となる拡散領域とを隣接させて配置し、前記ソース領域となる拡散領域と、前記基板コンタクト領域となる拡散領域とを金属シリサイドにより接続し、前記ソース領域となる拡散領域上には、電源および接地の電位を与える上層の金属配線との接続を行うためのコンタクトホールを設け、前記基板コンタクト領域となる拡散領域上には、前記コンタクトホールを設けないことを特徴とする標準セル。
IPC (3)：
H01L 21/82
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 21/82 B
, H01L 27/08 321 D
