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J-GLOBAL ID:200903001098567013

パターン形成材料、パターン形成方法および光ディスク

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004244201
Publication number (International publication number):2006062101
Application date: Aug. 24, 2004
Publication date: Mar. 09, 2006
Summary:
【課題】 微細でアスペクト比の高いパターンを安価な方法で形成する。【解決手段】 基板上に形成されたパターン形成材料であって、加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第1の反応層および第2の反応層と、加熱されることにより、体積が膨張する第3の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。【選択図】 図5
Claim (excerpt):
基板上に形成されたパターン形成材料であって、 加熱されることにより、相互に反応して体積が膨張する第1の反応層および第2の反応層と、 加熱されることにより、体積が膨張する第3の反応層と、を有することを特徴とするパターン形成材料。
IPC (3):
B32B 7/02 ,  G11B 7/24 ,  G11B 7/26
FI (3):
B32B7/02 105 ,  G11B7/24 531A ,  G11B7/26 501
F-Term (27):
4F100AA17D ,  4F100AA20B ,  4F100AA25B ,  4F100AB01C ,  4F100AB02C ,  4F100AB15C ,  4F100AR00E ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10D ,  4F100GB41 ,  4F100HB00B ,  4F100HB00C ,  4F100HB00D ,  4F100JA02B ,  4F100JA02C ,  4F100JA02D ,  4F100JK11E ,  4F100JL02 ,  5D029KB02 ,  5D121BA05 ,  5D121BB11 ,  5D121BB18 ,  5D121BB32
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • Microelectronic Engineering, 200406, Vol.73-74, p.69-73
Cited by examiner (2)
  • Microelectronic Engineering, 200406, Vol.73-74, p.69-73
  • Microelectronic Engineering, 200406, Vol.73-74, p.69-73

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