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J-GLOBAL ID：200903075260812748

パターン形成材料およびパターン形成方法

Inventor： 桑原 正史 ,  金 朱鎬 ,  富永 淳二
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002308679
Publication number (International publication number)：2004144925
Application date： Oct. 23, 2002
Publication date： May. 20, 2004
Summary：

【課題】被処理基板上に微細パターンを加工する際に、レジストの下面および上面に光吸収熱変換層を配し、熱によるレジストの加工を行うことで高アスペクト比の微細パターン加工を可能とする。【解決手段】被処理基板上に形成された光および熱感応性物質層と、前記光および熱感応性物質層の第1の側である前記被処理基板と前記光および熱感応性物質層の間に形成された第1の光吸収熱変換層と、前記第1の側から前記光および熱感応性物質層をはさんで対向する第2の側に形成された第2の光吸収熱変換層とを含むことを特徴とするパターン形成材料。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

被処理基板上に形成された熱感応性物質層と、 前記熱感応性物質層と前記被処理基板との間に形成された第1の光吸収熱変換層と、 前記熱感応性物質層の前記第1の光吸収熱変換層が存在しない側に設けた第2の光吸収熱変換層とを有し、 前記第1の光吸収熱変換層と前記第2の光吸収熱変換層が前記熱感応性物質層を挟む構造としたことを特徴とするパターン形成材料。

IPC (5)：

G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38 ,  G11B7/26 ,  H01L21/027

FI (6)：

G03F7/11 ,  G03F7/004 505 ,  G03F7/38 501 ,  G03F7/38 511 ,  G11B7/26 501 ,  H01L21/30 502R

F-Term (31)：

2H025AA03 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CC11 ,  2H025DA40 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA15 ,  2H096AA25 ,  2H096AA28 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA02 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA12 ,  2H096FA02 ,  2H096GA01 ,  5D121BA03 ,  5D121BA05 ,  5D121BB05 ,  5D121BB21 ,  5D121BB32 ,  5D121BB34 ,  5D121GG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 感熱性平版印刷用原板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-276864   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 微細パターン描画材料、それを用いた描画方法及び微細パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-172790   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, シャープ株式会社, ティーディーケイ株式会社