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J-GLOBAL ID：200903001227014042

多層配線構造およびその形成方法

Inventor： 横山 孝司 ,  山田 義明 ,  岸本 光司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997109291
Publication number (International publication number)：1998303298
Application date： Apr. 25, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】SiOF膜を層間絶縁膜とした配線において、層間絶縁膜の誘電率が低くなり平坦性に優れ且つ信頼性の高い多層配線構造の形成を容易にする。【解決手段】半導体基板上に形成された複数の配線層の間を埋めるフッ素を含有する酸化膜すなわちSiOF膜が形成され、このSiOF膜上にフッ素を含まない酸化膜が中間絶縁膜として形成される。そして、この中間絶縁膜上にSOG膜が形成され、上記SOG膜および中間絶縁膜表面がエッチバックされてSiOF膜上が平坦化される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された複数の配線層と、前記複数の配線層の間を埋めるフッ素を含有する酸化膜と、前記フッ素を含有する酸化膜上に形成され表面が平坦化されたフッ素を含まない酸化膜とを有することを特徴とする多層配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-069683   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-334190   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-145338   Applicant：日本電気株式会社