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J-GLOBAL ID：200903001246253546
スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997098046
Publication number (International publication number)：1998073913
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：
【要約】【課題】 耐酸性や透過率等の膜特性に優れた光半透過部を有する位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクの提供する。【解決手段】 シリコンと金属とを含み、化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量を多く含んだターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜3aを形成して位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを製造する。
Claim (excerpt)：
位相シフトマスクの光半透過部を形成するために使用されるスパッタターゲットであって、前記スパッタターゲットはシリコンと金属とを含み、かつ、スパッタターゲットの組成が化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量が多いことを特徴とするスパッタターゲット。
IPC (4)：
G03F 1/08
, C01B 33/00
, C23C 14/34
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, C01B 33/00
, C23C 14/34 A
, H01L 21/30 528
