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J-GLOBAL ID：200903050627510155
減衰位相シフト・マスク作成用の薄膜材料及びその作成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995024037
Publication number (International publication number)：1995261370
Application date： Feb. 13, 1995
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 光透過性減衰型位相シフト・マスクを提供する。【構成】 位相シフト・マスクにおいて、所与の波長のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成する方法であって、前記所与の波長で透過性である基板を用意するステップと、シリコンを含有する付着ターゲットを用意するステップと、反応性窒素成分を含有する気体環境において、付着プロセスを用いて、前記ターゲットから、前記基板上に主としてシリコンと窒素を含有する前記層を付着するステップと、を含む方法が提供される。
Claim (excerpt)：
位相シフト・マスクにおいて、所与の波長のエネルギーの減衰を行う位相シフト層を形成する方法であって、前記所与の波長で透過性である基板を用意するステップと、シリコンを含有する付着ターゲットを用意するステップと、反応性窒素成分を含有する気体環境において、付着プロセスを用いて、前記ターゲットから、前記基板上に主としてシリコンと窒素を含有する前記層を付着するステップと、を含む方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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