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J-GLOBAL ID：200903001269200903

単層カーボンナノチューブの皮膜を形成する方法及びその方法により皮膜を形成された単層カーボンナノチューブ

Inventor： 坪井 利行 ,  縄巻 健司 ,  小林 春洋
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 有賀 正光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998276501
Publication number (International publication number)：2000086219
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Mar. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 カーボンナノチューブを用いた安価な電界電子放出源を得るためのカーボンナノチューブのフィルム化方法を提供する。【解決手段】 単層カーボンナノチューブをアセトンとともにビーカーに入れ、超音波をかけることにより、単層カーボンナノチューブをアセトン中に分散させる。その後、アセトンを自然蒸発させ、ビーカー中に位置させておいた銅板上に単層カーボンナノチューブを堆積させる。単層カーボンナノチューブを表面に堆積させた銅板を、電子管のカソードとして用いる。

Claim (excerpt)：

粗カーボンナノチューブを溶媒中に分散させ、超音波をかけた後、前記溶媒を蒸発させることにより、前記溶媒中に位置させておいた基板上にカーボンナノチューブを堆積させることを特徴とするカーボンナノチューブのフィルム化方法。

IPC (3)：

C01B 31/02 101 ,  H01J 1/304 ,  H01J 9/02

FI (3)：

C01B 31/02 101 F ,  H01J 1/30 F ,  H01J 9/02 B

F-Term (3)：

4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-249096   Applicant：株式会社東芝