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J-GLOBAL ID：200903096314000946

電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置

Inventor：
中本 正幸

About 中本 正幸


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997249096
Publication number (International publication number)：1998149760
Application date： Sep. 12, 1997
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】電界放出特性が均一で且つ低電圧駆動が可能で電界放出効率も高い電界放出型冷陰極装置を提供する。【解決手段】電界放出型冷陰極装置は、支持基板12と、支持基板12上に配設された電子を放出するための複数のエミッタ14とを有する。エミッタ14の夫々は、基本的に炭素の6員環の連なりから構成される複数のカーボンチューブ16から形成される。全カーボンチューブ16の70%以上は30nm以下の直径を有する。エミッタ14を形成するカーボンチューブ16の底部直径に対する高さの比を表すアスペクト比は、3以上で1×106 以下で、望ましくは、3以上で1×103 以下に設定される。カーボンチューブ16における炭素の6員環の周期は0.426nmまたは0.738nmの倍数である。
Claim (excerpt)：
支持部材と、前記支持部材上に配設された電子を放出するためのエミッタと、を具備し、前記エミッタがフラーレンまたはカーボンナノチューブを具備することを特徴とする電界放出型冷陰極装置。
IPC (2)：
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (3)：
H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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