Pat
J-GLOBAL ID：200903001300693026

薄膜の加工方法

Inventor：
窪田 通孝

About 窪田 通孝


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238907
Publication number (International publication number)：1995074158
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 電子ビーム露光等の特殊な露光装置を使う必要なく、極めて微細なパターンを形成できる薄膜の加工方法を提供する。【構成】 基体上に形成した薄膜上に第1の幅L1 のマスクパターンを形成する工程Iと、該第1の幅L1 のマスクパターンをマスクとして異方性エッチングにより第1の幅L1 の薄膜パターンを形成する工程IIと、その後第1の幅のマスクパターンの幅を減少させる除去処理により第2の幅L1 -2Δのマスクパターンを形成する工程IIIと、該第2の幅のマスクパターンをマスクとして第1の幅L1 の薄膜を異方性エッチングにより加工し、第2の幅L1 -2Δの薄膜パターンを形成する工程IVを備える。
Claim (excerpt)：
基体上に形成した薄膜上に第1の幅のマスクパターンを形成し、該第1の幅のマスクパターンをマスクとして異方性エッチングにより第1の幅の薄膜パターンを形成し、その後第1の幅のマスクパターンの幅を減少させる除去処理により第2の幅のマスクパターンを形成し、該第2の幅のマスクパターンをマスクとして第1の幅の薄膜を異方性エッチングにより加工し、第2の幅の薄膜パターンを形成することを特徴とする薄膜の加工方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 301 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平2-303022
  • 特開平4-043355
  • 半導体装置製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-231214   Applicant：富士ゼロツクス株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM