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J-GLOBAL ID:200903001336192716
酸化物超電導体およびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
大川 浩一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001066558
Publication number (International publication number):2002265222
Application date: Mar. 09, 2001
Publication date: Sep. 18, 2002
Summary:
【要約】【課題】 電気特性、磁気特性、機械強度に優れた均質で大型の酸化物超電導体およびこのような酸化物超電導体を低コストで製造できる酸化物超電導体の製造方法を提供する。【解決手段】 RE化合物(REはYを含む1種または2種以上の希土類金属元素)とBa化合物とCu化合物とを含む原料混合体を、この原料混合体の融点より高い温度で加熱溶融した後に、徐冷して結晶を成長させることによりRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体を製造する方法において、原料混合体から穴または溝が形成された前駆体を作製し、この前駆体の下部に隙間ができるように中間層を敷いてその上に前駆体を載置し、前駆体を加熱溶融した後に、徐冷して結晶成長させる。
Claim (excerpt):
RE1+pBa2+q(Cu1-bAgb)3O7-x(REは1種または2種以上の希土類金属元素、-0.2≦p≦0.2、-0.2≦q≦0.2、0≦b≦0.05、-0.2≦x≦0.6)相中に、RE2+rBa1+s(Cu1-dAgd)O5-y相およびRE4+rBa2+s( Cu1-dAgd )2O10-y相(-0.2≦r≦0.2、-0.2≦s≦0.2、0≦d≦0.05、-0.2≦y≦0.2)の少なくとも一方の相が微細に分散した酸化物超電導体において、穴または溝を有し、中心部と周縁部の密度差が理論密度の3%以下であることを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (4):
C01G 5/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
FI (4):
C01G 5/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, H01B 13/00 565 D
, H01L 39/24 ZAA B
F-Term (18):
4G047JB03
, 4G047JC03
, 4G047KB05
, 4G047KC04
, 4G047LA01
, 4G047LB01
, 4G047LB04
, 4M113AD36
, 4M113BA21
, 4M113BA29
, 4M113CA34
, 5G321AA02
, 5G321AA04
, 5G321AA07
, 5G321CA03
, 5G321DB28
, 5G321DB47
, 5G321DB48
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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酸化物超電導材料の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-131172
Applicant:新日本製鐵株式会社
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超伝導体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-269587
Applicant:エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
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酸化物超電導体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-263106
Applicant:三菱重工業株式会社
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