近赤外光検出素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西川惠清 , 森厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005195567
Publication number (International publication number)：2007013065
Application date： Jul. 04, 2005
Publication date： Jan. 18, 2007
Summary：

【課題】応答速度の高速化を図れ且つ製造が容易な近赤外光検出素子を提供する。【解決手段】半導体基板1の一表面側に形成されp形領域61とn形領域63との間にドリフト領域であるi層62が介在するpinフォトダイオードのフォトダイオード構造を有し近赤外光を吸収して電子・正孔対が発生する光電変換部6と、光電変換部6の受光面に積層され当該受光面に平行な2次元面内に屈折率周期構造を有するスラブ型フォトニック結晶であって上記受光面に交差する方向から入射される検出対象の近赤外光の波長帯に対して共振ピークを有するように屈折率周期構造が設計されたスラブ型フォトニック結晶7とを備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の一表面側に形成されp形領域とn形領域との間にドリフト領域が設けられたフォトダイオード構造を有し近赤外光を吸収して電子・正孔対が発生する光電変換部と、光電変換部の受光面に積層され若しくは光電変換部内における前記受光面側に形成され前記受光面に平行な2次元面内に屈折率周期構造を有するスラブ型フォトニック結晶であって前記受光面に交差する方向から入射される検出対象の近赤外光の波長帯に対して共振ピークを有するように屈折率周期構造が設計されたスラブ型フォトニック結晶とを備えてなることを特徴とする近赤外光検出素子。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (7)：

5F049MA04 , 5F049MB03 , 5F049NA03 , 5F049NB01 , 5F049PA20 , 5F049QA03 , 5F049SZ08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

受光素子、光モジュール、及び光伝送装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-395354 Applicant：セイコーエプソン株式会社
pin型半導体受光素子およびこれを含む半導体受光回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-283144 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-533382 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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