Pat

J-GLOBAL ID：200903001390999137

液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法

Inventor： 石塚 啓太 ,  脇屋 和正 ,  遠藤 浩太朗 ,  吉田 正昭
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004132081
Publication number (International publication number)：2005264131
Application date： Apr. 27, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、水を始めとした各種浸漬液を用いた液浸露光中のレジスト膜の変質および使用浸漬液の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加を来すことなく、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】レジスト膜を浸漬させる液体、特に水に対して実質的に相溶性を持たず、かつアルカリに可溶である特性を有する保護膜を、使用するレジスト膜の表面に形成する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

レジスト膜上に設けられて液浸露光プロセスに供する前記レジスト膜を保護するレジスト保護膜を形成するためのレジスト保護膜形成用材料であって、 露光光に対して透明で、水に対して実質的な相溶性を持たず、かつアルカリに可溶である特性を有することを特徴とする液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料。

IPC (5)：

C08F20/10 ,  C08F22/00 ,  C08F36/16 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

FI (5)：

C08F20/10 ,  C08F22/00 ,  C08F36/16 ,  G03F7/11 501 ,  H01L21/30 575

F-Term (36)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  4J100AK32P ,  4J100AL03P ,  4J100AL08P ,  4J100AL36P ,  4J100AL44P ,  4J100AS13P ,  4J100AS13Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA11P ,  4J100BA20P ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38 ,  5F046CA08 ,  5F046JA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-177884   Applicant：松下電器産業株式会社
• 液浸式投影露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-296518   Applicant：キヤノン株式会社