パターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003177884
Publication number (International publication number)：2005017332
Application date： Jun. 23, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】浸漬リソグラフィにより得られるレジストパターンの形状を良好にする。【解決手段】吸湿性化合物を含むレジスト膜102を形成した後、該レジスト膜102の上に水103を供給した状態で、レジスト膜102に対して露光光104を選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光が行なわれたレジスト膜102に対して現像を行なってレジストパターン105を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

吸湿性化合物を含むレジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の上に水を供給した状態で、前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なってレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F7/38 , G03F7/004 , H01L21/027

FI (3)：

G03F7/38 501 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R

F-Term (13)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025FA01 , 2H025FA08 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096EA05 , 2H096EA23 , 2H096EA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

液浸型露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-121757 Applicant：株式会社ニコン
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-052637 Applicant：日本合成ゴム株式会社
新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-307362 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

RESOLUTION ENHANCEMENT OF 157nm LITHOGRAPHY BY LIQUID IMMERSION

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