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J-GLOBAL ID：200903001466521800

透明導電膜、及びその形成方法

Inventor： 中林 一朗 ,  森賀 俊広 ,  富永 喜久雄
Applicant, Patent owner： 大倉工業株式会社 ,  中林 一朗 ,  森賀 俊広 ,  富永 喜久雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002150052
Publication number (International publication number)：2003346559
Application date： May. 24, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】目的とする組成の焼結ターゲットを用意しなくても所望するk値の非晶質のホモロガス化合物からなる透明導電膜を形成すること、特に、従来得られないとされていたk=1のホモロガス化合物からなる透明導電膜や、結晶化しやすいk=4の非晶質のホモロガス化合物からなる透明導電膜を容易に形成する方法を提供すること。【解決手段】ZnkIn2Ok+3(kは1〜4の整数。)で表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明導電膜を酸化インジウムターゲット(TIn)と酸化亜鉛ターゲット(TZn)とを互いに対向するように配置して、基板温度が200°C以下、かつδ=IIn/(IIn+IZn)で定義されるTInに印可した電流値(IIn)とTZnに印可した電流値(IZn)との電流比δが0.30〜0.80の条件下でスパッタリングすることにより基板上に形成する。

Claim (excerpt)：

ZnkIn2Ok+3(kは1〜4の整数。)で表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明導電膜。

IPC (5)：

H01B 5/14 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 ,  C01G 15/00 ,  G02F 1/1343

FI (5)：

H01B 5/14 A ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 B ,  C01G 15/00 B ,  G02F 1/1343

F-Term (23)：

2H092HA03 ,  2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  2H092NA28 ,  2H092PA07 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC32 ,  4K029DC34 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 導電性透明基材およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-315075   Applicant：出光興産株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ZnO-In2O3系透明導電性酸化物