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J-GLOBAL ID：200903001467474598

高誘電率キャパシタおよびその製法

Inventor： 黒岩 丈晴 ,  本多 俊久 ,  松野 繁 ,  木ノ内 伸一 ,  内川 英興 ,  渡井 久男 ,  三上 登 ,  堀川 剛 ,  奥平 智仁 ,  楠見 嘉宏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079553
Publication number (International publication number)：1994290984
Application date： Apr. 06, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体記憶装置用キャパシタで、製造プロセスの熱処理においてもキャパシタ特性が劣化しない高誘電率キャパシタを提供すると共に、熱処理の有無にかかわらず高誘電率で漏れ電流の小さいキャパシタ、その製法およびキャパシタ用誘電体膜を提供する。【構成】 金属酸化物を主成分とする誘電体材料からなる誘電体膜4と、該誘電体膜を挟んで対向する1対の下部および上部電極3、5が設けられ、上部電極5の上に酸素欠損を防止する保護膜1が形成されている。

Claim (excerpt)：

金属酸化物を主成分とする高誘電率の誘電体材料からなる誘電体膜と、前記誘電体膜を挟んで対向する一対の電極からなる高誘電率キャパシタであって、前記誘電体膜の上部に形成された上部電極の上に前記誘電体材料の酸素欠損を抑制する保護膜が形成されてなる高誘電率キャパシタ。

IPC (4)：

H01G 4/10 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭57-106064
  
• 特開平3-157965
  
• 特開平3-252162
  
• 特開平4-223366
  
• 特開平4-367561
  
• 特開平4-300246
  
• メモリ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-187686   Applicant：オリンパス光学工業株式会社