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J-GLOBAL ID：200903001498041258

磁性材料並びにそれを用いたメモリーおよびセンサ

Inventor： 大越 慎一 ,  橋本 和仁 ,  桜井 俊介 ,  黒木 施老
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学 ,  DOWAエレクトロニクス株式会社
Agent (2)： 小松 高 ,  和田 憲治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006224954
Publication number (International publication number)：2007281410
Application date： Aug. 22, 2006
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：

【課題】ε-Fe2O3の磁性相転移温度およびスピン再配列温度を制御する。【解決手段】ε-Fe2O3結晶のFeサイトの一部がInで置換されたε-InxFe2-xO3〔ただし0<x≦0.30である〕の組成を有し、ε-Fe2O3の結晶構造と同様なX線回折パターンを示す(空間群が同じである)構造を有する結晶からなる磁性材料である。この磁性材料はInの含有量に応じて、ε-Fe2O3の磁気相転移温度よりも低い磁気相転移温度を有し、ε-Fe2O3のスピン再配列温度よりも高いスピン再配列温度を有する。また、この磁性材料はInの含有量に応じて、ε-Fe2O3が有する複素誘電率虚部のピーク温度よりも高い複素誘電率虚部のピーク温度を有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ε-Fe2O3結晶と空間群が同じであり、ε-Fe2O3結晶のFeサイトの一部がInで置換されたε-InxFe2-xO3〔ただし0<x≦0.30である〕の結晶からなる磁性材料。

IPC (4)：

H01F 1/11 ,  C01G 49/00 ,  G11B 5/706 ,  G11B 5/714

FI (4)：

H01F1/11 L ,  C01G49/00 A ,  G11B5/706 ,  G11B5/714

F-Term (11)：

4G002AA06 ,  4G002AB02 ,  4G002AD04 ,  4G002AE03 ,  5D006BA06 ,  5D006BA08 ,  5D006FA00 ,  5E040AB02 ,  5E040CA06 ,  5E040CA16 ,  5E040NN02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-108293   Applicant：エムテックマグネティックスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 磁気機能素子及び磁気記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-200840   Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ε-Fe2O3ナノ磁性体におけるスピン再配列現象制御