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J-GLOBAL ID:200903024208307497

磁気機能素子及び磁気記録装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 晃 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999200840
Publication number (International publication number):2001028466
Application date: Jul. 14, 1999
Publication date: Jan. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高密度に集積化された場合でも安定且つ確実な動作が可能とする。【解決手段】 歪みによって磁気的な状態が変化する歪み敏感磁性層2と、この歪み敏感磁性層2に対して歪みを付与する歪み付与層3とを備える。そして、歪み敏感磁性層2に対して付与する歪みを制御することにより、この歪み敏感磁性層2の磁気的な状態を制御する。これにより、磁気的な状態を変化させるために、電流によって磁界を発生させる必要がなくなる。
Claim (excerpt):
歪みによって磁気的な状態が変化する歪み敏感磁性層と、この歪み敏感磁性層に対して歪みを付与する歪み付与層とを備えることを特徴とする磁気機能素子。
IPC (4):
H01L 41/09 ,  G11C 11/14 ,  H01L 41/12 ,  H01L 41/20
FI (4):
H01L 41/08 U ,  G11C 11/14 A ,  H01L 41/12 ,  H01L 41/20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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