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J-GLOBAL ID：200903001510631066

高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤

, 
中島 睦雄

About 中島 睦雄


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003131075
Publication number (International publication number)：2004331853
Application date： May. 09, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：
【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、酸によって溶解性が向上する高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、アセチル基又は酸不安定基である。mは0〜4の整数、W1、W2は水素原子、ヒドロキシ基、アセトキシ基、又はそれぞれが結合してメチレン基、エチレン基、-O-を結合する。xは1≦x≦1.5の範囲である。)【効果】本発明によれば、酸不安定基で置換されたヒドロキシインダンがペンダントされたポリシルセスキオキサンをベース樹脂としてポジ型レジスト材料に配合することにより、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、その上優れたエッチング耐性を示す。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、酸によって溶解性が向上する高分子化合物。
IPC (4)：
C08G77/04 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027
FI (4)：
C08G77/04 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R
F-Term (43)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  4J246AA03 ,  4J246BA040 ,  4J246BA12X ,  4J246BA140 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246CA25X ,  4J246CA250 ,  4J246CA270 ,  4J246CA53X ,  4J246CA55X ,  4J246CA56X ,  4J246CA57X ,  4J246CA63X ,  4J246CA630 ,  4J246CB08 ,  4J246FA011 ,  4J246FA081 ,  4J246FA321 ,  4J246GA01 ,  4J246GA02 ,  4J246GD08 ,  4J246HA15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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