半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239863
Publication number (International publication number)：1994089936
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体基板をダイシングしてチップに分割する際にチップに生ずる亀裂や欠落を少なくして不良発生を低減する。【構成】基板の一面から100 μm以下のダイシング溝を入れたのち、他面から少なくともその溝に達する深さのダイシング溝を入れてチップに分割する。これにより、ブレーキングの際に生ずる亀裂や欠落あるいはフルカットの際にウエーハシートとウエーハとの硬さの相違によりダイシングラインに生ずる欠落がなくなる。特に、双方向ダイオードのようにチップ両面にPN接合の露出している場合の歩留まり向上に有効である。

Claim (excerpt)：

半導体基板をダイシングしてチップに分割する際に、基板の一面から第一のダイシング溝を入れたのち、他面から少なくとも第一のダイシング溝に達する深さの第二のダイシング溝を入れることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/78 , H01L 29/91 , H01L 21/76

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-290237
特開昭62-014441
特開昭60-157236

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