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J-GLOBAL ID：200903001541485033

非導電性支持体材料の上に配置されたパターン導体構造物、特に微細なパターン導体構造物およびそれの製造方法

Inventor： ナウンドルフ・ゲルハルト ,  ヴィースブロック・ホルスト
Applicant, Patent owner： ナウンドルフ・ゲルハルト ,  ヴィースブロック・ホルスト
Agent (1)： 江崎 光史 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999509267
Publication number (International publication number)：2000503817
Application date： Jul. 16, 1998
Publication date： Mar. 28, 2000
Summary：

【要約】本発明は、重金属含有ベースとそのベースの上に適用された金属化層とより成る、非導電性支持体材料の上に配置されたパターン導体構造物、特に微細なパターン導体構造物に関する。本発明は、重金属含有ベースがパターン導体構造物の領域に、非導電性の有機性重金属錯塩の分解によって生じる重金属核を含有していることおよび支持体材料が、重金属核が結合している微小多孔質または微小粗面の担体粒子を含有していることを特徴とする。この方法は析出するパターン導体路の優れた接合を達成する。この方法は三次元回路基板の製造に特に適している。

Claim (excerpt)：

重金属含有ベースとそれの上に適用された金属化層とより成る、非導電性支 持体材料上のパターン導体構造物、特に微細なパターン導体構造物において、 重金属含有ベースが非導電性の有機重金属錯塩の分解によって生じる重金属核 をパターン導体構造物の領域に有しており、そして支持体材料が重金属核が結 合されている微小多孔質のまたは微小粗面の担体粒子を含有していることを特 徴とする、上記パターン導体構造物。

IPC (4)：

H05K 3/18 ,  C23C 18/14 ,  C23C 18/16 ,  H05K 3/10

FI (4)：

H05K 3/18 B ,  C23C 18/14 ,  C23C 18/16 Z ,  H05K 3/10 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 配線板の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-323022   Applicant：日立化成工業株式会社, 日立エーアイシー株式会社
• レーザによる金属の析出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-005668   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション