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J-GLOBAL ID：200903001546968750

17族元素を含む誘電層を有するキャパシタおよびその製造法

Inventor： エリク ビーチ ,  ウェイドン ティアン ,  ピンハイ ハオ
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004114887
Publication number (International publication number)：2004320019
Application date： Apr. 09, 2004
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】従来技術によるキャパシタより小さな電圧係数値または誘電吸収値を持つキャパシタ、その製造法およびこのキャパシタを包含する集積回路を提供することである。【解決手段】キャパシタの第1の導電板と第2の導電板の間に誘電層を設け、その誘電層は17族元素を含む。フッ素が特に有用である。このキャパシタは改善された電圧係数値または誘電吸収値を示す。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

半導体基板上部に位置する、間に誘電層を有する第1および第2の導電板を含み、上記誘電層が17族元素を含み、誘電吸収が約155ppm未満であるキャパシタ。

IPC (2)：

H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (1)：

H01L27/04 C

F-Term (4)：

5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038DF03 ,  5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-121154   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-316361
  
• 特開昭64-082557
  
• 特開昭63-237456
  
• 特開平4-080928
  
• 特開平4-316361
  
• 特開昭64-082557
  
• 特開昭63-237456
  
• 特開平4-080928