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J-GLOBAL ID:200903001555761327
機能素子の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005197548
Publication number (International publication number):2006049875
Application date: Jul. 06, 2005
Publication date: Feb. 16, 2006
Summary:
【課題】光電変換特性の良好な光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。【解決手段】信号読出回路が形成された基板上に、1ピクセルごとに分割された第一電極膜と、光電変換膜と、該第一電極膜に対向する第二電極膜とをこの順に積層した光電変換部位を有する光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法において、該第一電極膜または第二電極膜を製膜後、該第一電極膜または第二電極膜をドライエッチングする際、該基板を150°C以下に保つ。【選択図】図1
Claim (excerpt):
機能層としての有機膜の上層に電極膜を備えた機能素子の製造方法であって、
前記電極膜のパターニング工程が、前記基板を150°C以下に維持した状態でドライエッチングする工程を含む機能素子の製造方法。
IPC (5):
H01L 27/146
, H05B 33/10
, H01L 51/50
, H05B 33/28
, H01L 51/42
FI (5):
H01L27/14 E
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/28
, H01L31/08 T
F-Term (31):
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CB01
, 3K007CC00
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007FA03
, 4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118BA08
, 4M118CA20
, 4M118CA27
, 4M118CB05
, 4M118DA12
, 4M118DB08
, 4M118EA01
, 4M118FA07
, 4M118FA26
, 4M118FA34
, 4M118GB03
, 4M118GB08
, 4M118GB11
, 4M118GB15
, 5F088AA11
, 5F088AB13
, 5F088BB03
, 5F088CB14
, 5F088CB15
, 5F088DA05
, 5F088EA04
, 5F088EA06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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特開昭58-103165号公報
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イメージセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-271555
Applicant:日本放送協会
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有機半導体製画像センサ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-529741
Applicant:ユニアックスコーポレイション
-
積み重ね型波長選択オプトエレクトロニクス装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-504018
Applicant:アウグスト,カルロス・ジヨタ・エルリ・ペー
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特許第3405099号公報
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固体撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-288856
Applicant:株式会社東芝, 富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
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