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J-GLOBAL ID：200903001564293026

DLC膜の表面処理方法

Inventor： 中村 挙子 ,  石原 正統 ,  大花 継頼 ,  田中 章浩 ,  古賀 義紀
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004139434
Publication number (International publication number)：2005319398
Application date： May. 10, 2004
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：

【要約書】【課題】 有毒ガスを使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にDLC膜表面上にフッ素官能基を導入する方法を提供する。【解決手段】 DLC膜と下記一般式(1)で表されるペルフルオロアゾアルカンを、溶液中に存在させて、紫外光を照射することによりDLC膜の表面に前記ペルフルオロアゾアルキル基を結合させることを特徴とするDLC膜の表面処理方法。 RFN=NRF (1)(式中、RFはペルフルオロアルキル基を示す。)【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

DLC膜と下記一般式(1)で表されるペルフルオロアゾアルカンを、溶液中に存在させて、紫外光を照射することによりDLC膜の表面に前記ペルフルオロアルキル基を結合させることを特徴とするDLC膜の表面処理方法。 RFN=NRF (1) (式中、RFはペルフルオロアルキル基を示す。)

IPC (2)：

B05D7/00 ,  B32B9/00

FI (2)：

B05D7/00 C ,  B32B9/00 A

F-Term (30)：

4D075AB01 ,  4D075BB44Z ,  4D075BB46Z ,  4D075BB52Z ,  4D075BB94Z ,  4D075CA09 ,  4D075CA36 ,  4D075CA37 ,  4D075DA04 ,  4D075DA06 ,  4D075DB11 ,  4D075DC16 ,  4D075EA07 ,  4D075EB16 ,  4D075EB47 ,  4D075EB56 ,  4D075EC07 ,  4D075EC54 ,  4F100AA37A ,  4F100AA37K ,  4F100AH05B ,  4F100AK17B ,  4F100BA02 ,  4F100EJ54B ,  4F100GB90 ,  4F100YY00B ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 薄膜磁気ヘッドとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-350570   Applicant：松下電器産業株式会社
• 保護膜およびその製造方法ならびに物品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-345923   Applicant：ティーディーケイ株式会社

Cited by examiner (1)

• 保護膜およびその製造方法ならびに物品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-345923   Applicant：ティーディーケイ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Chemical modification of diamond films using photolysis of perfluofoazooctane