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J-GLOBAL ID：200903001564642500

光集積回路およびその製造方法

Inventor： 梶田 幹浩
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993337172
Publication number (International publication number)：1995202162
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】n-GaAs基板1にエピタキシャル成長を利用して形成した第1の面型光素子2と、他の基板上に形成した半導体ペレットをInP層7aを介して接合した第2の面型光素子3等を設ける。【効果】特性の良好な複数の種類の面型光素子を同一基板に集積できる波長多重の光情報伝達に利用できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面を選択的に被覆するエピタキシャル層を含む第1の電子素子と、前記半導体基板に接合部材を介して接合された半導体ペレットを含み前記第1の電子素子とは種類または特性の異なる第2の電子素子とを有し、前記第1の電子素子または第2の電子素子の少なくとも一方が面型光素子であることを特徴とする光集積回路。

IPC (3)：

H01L 27/15 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-134965
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-062903   Applicant：日本電気株式会社