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J-GLOBAL ID：200903001568107723

レーザー照射装置

Inventor： 山崎 舜平 ,  田中 幸一郎 ,  寺本 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996069394
Publication number (International publication number)：1997234579
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【目的】 線状のレーザー光を用いて、大面積の半導体膜に対するアニールの均一性を高める。【構成】 線状に加工されて被照射面に照射されるレーザー光の長手方向における照射エネルギー密度を制御するホジナイザーを12及び13で示されるように2つ配置する。また、線状のレーザー光の幅方向における照射エネルギー密度を制御するホジナイザーは11で示されるように1つとする。このようにすることで、レーザーアニールの均一性を最低限のホモジナイザーでもって得ることができる。

Claim (excerpt)：

線状のレーザー光を照射する装置であって、線状のレーザー光の幅方向に対応するホモジナイザーがA個配置されており、線状のレーザー光の長手方向に対応するホモジナイザーがB個配置されており、A<Bであることを特徴とするレーザー照射装置。

IPC (2)：

B23K 26/06 ,  H01S 3/13

FI (2)：

B23K 26/06 E ,  H01S 3/13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体デバイスのレーザー処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-124172   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-282869