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J-GLOBAL ID：200903025046904158

半導体デバイスのレーザー処理方法

Inventor：
張 宏勇

About 張 宏勇

, 
山口 直明

About 山口 直明


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994124172
Publication number (International publication number)：1995307304
Application date： May. 13, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 パルス状のレーザー光の照射工程を有する半導体デバイスの作製方法を提供する。【構成】 半導体デバイスの回路をアナログ的な回路領域と、そうでない回路領域とにわける。この際、前者は後者よりも小さくなるように設計する。そして、レーザー光を照射する際に、アナログ的な回路領域では、レーザービームを実質的に移動させずにレーザー光を照射する。一方、アナログ的でない回路領域においては、レーザー光を走査しながら照射する。この結果、前記アナログ的な回路領域においては、レーザービームの重なりが実質的に存在せず、例えば、薄膜トランジスタのしきい値電圧の均一性が向上し、アナログ回路として優れた特性を示す。
Claim (excerpt)：
少なくとも、第1および第2の半導体集積回路領域(ここで、第1の回路領域は第2の回路領域よりも小さい)もしくは回路領域となるべき領域を有する基板に対して線状のパルスレーザー光を照射するレーザー処理方法において、レーザー光の実質的なビームの大きさは、前記第1の回路領域よりも大きく、レーザー光を照射している間、レーザー光を実質的に移動させることなく、第1の回路領域の全体にレーザー光を照射する第1の工程と、第1の工程の後に、レーザー光を照射しないで、レーザー光の照射されるべき位置を第1の回路領域から離す第2の工程と、レーザー光を走査させつつ、第2の回路領域にレーザー光を照射する第3の工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスのレーザー処理方法。
IPC (5)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 21/265 B ,  H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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