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J-GLOBAL ID:200903001581025728

高純度酸素の発生方法及びそのための装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 角田 嘉宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995128130
Publication number (International publication number):1996325771
Application date: May. 26, 1995
Publication date: Dec. 10, 1996
Summary:
【要約】【目的】 窒素、炭酸ガス、一酸化炭素、炭化水素、アルゴン等の不純物、特に、窒素などの不純物の極めて低い、半導体分野などにおける素子の高純度化にも十分適用可能な高純度の酸素を発生する方法、及びそのための装置を提供する。【構成】 固体電解質膜21を隔膜として用いて、陽極側と陰極側とに分離して、陽極側12に純水を供給しながら純水を電気分解して、陽極側から酸素ガスを、陰極側から水素ガスをそれぞれ発生するように構成した水電解セル10からなる水素・酸素発生装置において、水電解セル10の陽極室12で生じた溶存不純物ガス濃度の極めて低い出口水B を、水電解セル10の陽極室12に循環する循環経路5 を設けたことを特徴とする高純度酸素の発生装置1である。
Claim (excerpt):
固体電解質膜を隔膜として用いて、陽極側と陰極側とに分離して、陽極側に純水を供給しながら純水を電気分解して、陽極側から酸素ガスを、陰極側から水素ガスをそれぞれ発生するように構成した水電解セルからなる水素・酸素発生装置において高純度の酸素を発生させる方法であって、水電解セルの陽極室で生じた溶存不純物ガス濃度の極めて低い出口水を、水電解セルの陽極室に循環して供給することによって、不純物濃度の極めて低い高純度の酸素を得ることを特徴とする高純度酸素の発生方法。
IPC (2):
C25B 1/10 ,  C25B 13/08
FI (2):
C25B 1/10 ,  C25B 13/08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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