半導体装置及び半導体装置の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006104784
Publication number (International publication number)：2006332604
Application date： Apr. 06, 2006
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：

【課題】信頼性が高く小型なTFTを作製するために、信頼性の高いゲート電極、ソース配線及びドレイン配線を形成するための半導体装置の作製方法及び半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極に高密度プラズマにより窒化することによって前記ゲート電極の表面に窒化膜を形成する半導体装置の作製方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極表面を高密度プラズマにより窒化することによって前記ゲート電極の表面に窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (10)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 21/318 , H01L 21/316 , G02F 1/136

FI (11)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 617J , H01L29/78 616K , H01L29/58 G , H01L21/28 B , H01L21/28 301R , H01L21/88 R , H01L21/318 A , H01L21/316 A , H01L21/316 C , G02F1/1368

F-Term (181)：

2H092GA29 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB13 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA08 , 2H092MA15 , 2H092MA30 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB29 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC05 , 4M104DD86 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH16 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ16 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033KK04 , 5F033MM08 , 5F033MM11 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033QQ91 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX20 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BF31 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BH16 , 5F058BJ02 , 5F058BJ04 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL27 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN32 , 5F110NN33 , 5F110NN37 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-083529 Applicant：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-210624 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-111726 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Cited by examiner (7)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-210624 Applicant：株式会社東芝
配線材料およびこれを用いた配線を備えた半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-175937 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-360872 Applicant：大見忠弘, シャープ株式会社

Show all

Return to Previous Page