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J-GLOBAL ID：200903082474376950

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 南幅 学 ,  飯島 匡 ,  青山 寿子 ,  下岡 義明 ,  新山 広美 ,  田村 仁 ,  須黒 恭一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210624
Publication number (International publication number)：1997064034
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】Au,Ag,Cu等の配線材料を用いるのに有効な構造を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】絶縁膜2001上にアルミニウム配線2003を形成する工程と、全面に層間絶縁膜2004,2005を形成する工程と、層間絶縁膜2004,2005をエッチングして、層間絶縁膜2004,2005に配線溝2006、コンタクトホール2007を形成する工程と、全面にバリアメタル膜2008、配線材料膜2009を順次形成する工程と、レーザアニールにより前記配線材料膜2009を溶融させ、流動させることにより、配線溝2006、コンタクトホール2007内に配線材料膜2009を埋め込む工程と、余分な配線材料膜2009とバリアメタル膜2008をCMP法により除去する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体素子が形成された半導体基板と、この半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜上に形成されたアルミニウムからなる第1の電極または配線層と、この第1の電極または配線層上に形成された第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜上にアルミニウムよりも比抵抗および融点が低い金属からなる第2の電極または配線層とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/88 A ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体集積回路の配線構造体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-107137   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 特開平3-249171
  
• 半導体基板に導体路を形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-337039   Applicant：インテル・コーポレーション
• 特開平3-249171