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J-GLOBAL ID：200903001592495050

AlN基板およびそれを用いたレーザーダイオード素子

Inventor： 篠澤 和弘 ,  白井 隆雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000166770
Publication number (International publication number)：2001348275
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Dec. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】高い熱伝導率を保持し、かつ、研磨加工性を向上させたAlN基板およびそれを用いたレーザーダイオード素子を得る。【解決手段】任意の一辺が10μmの正方形100μm2の領域内に存在するAlN結晶粒子数が5以上であり、この領域内に入る粒界の総長さが100μm以下であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

任意の一辺が10μmの正方形100μm2の領域内に存在するAlN結晶粒子数が5以上であり、この領域内に入る粒界の総長さが100μm以下であることを特徴とするAlN基板。

IPC (3)：

C04B 35/581 ,  C04B 41/88 ,  H01S 5/022

FI (3)：

C04B 41/88 Q ,  H01S 5/022 ,  C04B 35/58 104 D

F-Term (12)：

4G001BA04 ,  4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BB04 ,  4G001BB09 ,  4G001BB36 ,  4G001BC72 ,  4G001BD03 ,  4G001BE22 ,  4G001BE32 ,  4G001BE35 ,  5F073FA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181412   Applicant：日本電気株式会社
• 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-035245   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Journal of American Ceramic Society, 1989, Vol.72 No.11, p.2031-2042
• 日本セラミックス協会学術論文誌, 1989, Vo.92 No.12, p.1478-1485