半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995041469
Publication number (International publication number)：1996236549
Application date： Mar. 01, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】サージ電圧を吸収することができる機能を内蔵する半導体回路と一体化してモノシリックに集積される半導体装置を提供する。【構成】半導体装置において、導電性基板1と、この導電性基板1上に成長する半絶縁性結晶層2と、この半絶縁性結晶層2に形成される電子回路3と、この電子回路3に接続される入出力端子4及び電源端子5と、前記電子回路3と入出力端子4間に形成される第1の導電領域6と、前記電子回路3と電源端子5間に形成される第2の導電領域7とを設け、前記第1の導電領域6及び第2の導電領域7と前記導電性基板1間の耐圧を前記電子回路3の耐圧より低くなるようにモノシリックに集積する。

Claim (excerpt)：

(a)導電性基板と、(b)該導電性基板上に成長する半絶縁性結晶層と、(c)該半絶縁性結晶層に形成される電子回路と、(d)該電子回路に接続される入出力端子及び電源端子と、(e)前記電子回路と入出力端子間に形成される第1の導電領域と、(f)前記電子回路と電源端子間に形成される第2の導電領域とを設け、(g)前記第1の導電領域及び第2の導電領域と前記導電性基板間の耐圧を前記電子回路の耐圧より低くなるようにモノシリックに集積することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (2)：

H01L 29/80 P , H01L 29/48 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

MOS駆動型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-288694 Applicant：株式会社東芝
特開平4-152570
特開平4-103138

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