Pat

J-GLOBAL ID：200903001644681205

スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材

Inventor： 町野 毅 ,  大内 幸弘 ,  高橋 昭雄 ,  杉原 忠 ,  武下 拓夫
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991259904
Publication number (International publication number)：1993070943
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用焼結ターゲット材の高密度化をはかる。【構成】 スパッタリングによる透明導電性薄膜形成用ターゲット材が、重量%で、SnO2 :5〜15%、ZnO:0.1〜5%、を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組成、並びに、92%以上の理論密度比、を有する高密度焼結体からなる。

Claim (excerpt)：

重量%で、酸化スズ:5〜15%、酸化亜鉛:0.1〜5%、を含有し、残りが酸化インジウムと不可避不純物からなる組成、並びに、92%以上の理論密度比、を有することを特徴とするスパッタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲット材。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C01G 19/00 ,  C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 酸化インジウム系焼結体および酸化物焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平2-410685   Applicant：日立金属株式会社, 株式会社安来精密