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J-GLOBAL ID：200903001665956158

III族窒化物結晶の研磨方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

Inventor： 皿山 正二 ,  岩田 浩和 ,  鈴木 幸栄 ,  原 敬
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003070275
Publication number (International publication number)：2004281671
Application date： Mar. 14, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】III族窒化物結晶の研磨において、スクラッチや欠陥を少なくし、十分実用的な研磨速度,研磨品質を得る。【解決手段】第1の微粒子を溶媒に分散させた研磨液を用いてIII族窒化物結晶を研磨するIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記研磨液のpH値が7よりも大きいことを特徴としている。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

第1の微粒子を溶媒に分散させた研磨液を用いてIII族窒化物結晶を研磨するIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記研磨液のpH値が7よりも大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。

IPC (4)：

H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02

FI (4)：

H01L21/304 622D ,  B24B1/00 A ,  B24B37/00 H ,  B24B57/02

F-Term (11)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C049AA07 ,  3C049AC04 ,  3C049CA04 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• GaN及びGa▲下1-x-y▼Al▲下x▼In▲下y▼Nの結晶及びエピタキシャル層の機械-化学研摩
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-542645   Applicant：ツェントルムバダニヴィソコチシニエニオヴィフポルスキエイアカデミイナウク
• 窒化ガリウム結晶育成用材料、窒化ガリウム結晶の製造方法、窒化ガリウム結晶および積層体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-242257   Applicant：日本碍子株式会社