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J-GLOBAL ID：200903027169175129

GaN及びGa▲下1-x-y▼Al▲下x▼In▲下y▼Nの結晶及びエピタキシャル層の機械-化学研摩

Inventor： ポロフスキ,シルヴェステル ,  グジェゴシ,イザベラ ,  ヴァイヘル,ヤーン ,  ノヴァク,グジェゴズ
Applicant, Patent owner： ツェントルム バダニ ヴィソコチシニエニオヴィフ ポルスキエイ アカデミイ ナウク
Agent (1)： 武石 靖彦 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998542645
Publication number (International publication number)：2001518870
Application date： Mar. 13, 1998
Publication date： Oct. 16, 2001
Summary：

【要約】本発明は、GaN及びGa1-x-yAlxInyNの結晶及びエピタキシャル層の表面から不規則性及び重大な欠陥領域を機械-化学研摩により除去する方法であって、その表面には濃度0.01N以上の塩基性水溶液からなる化学的エッチング剤の存在下において、10秒間にわたり圧力を加えて、ソフトパッドで研摩し、次いで、エッチング剤を純水で置換するとともに、少なくとも1分間研摩し、さらに、圧力の低下に伴って研摩機を停止し、研摩されたGaN結晶及びエピタキシャルGaAlInN層が研摩機より除去されるとともに、乾燥窒素ガス流中で乾燥される。

Claim (excerpt)：

GaN及びGaAlInNの結晶及びエピタキシャル層の表面から不規則性 及び重大な欠陥領域を機械-化学研摩により除去する方法であって、その表面 には濃度0.01N以上の塩基性水溶液からなる化学的エッチング剤の存在下 において、10秒間にわたり圧力を加えて、ソフトパッドで研摩し、次いで、 エッチング剤を純水で置換するとともに、少なくとも1分間研摩し、さらに、 圧力の低下に伴って研摩機を停止し、研摩されたGaN結晶及びエピタキシャ ルGaAlInN層が研摩機より除去されるとともに、乾燥窒素ガス流中で乾 燥されるものであることを特徴とする方法。

IPC (2)：

C30B 33/00 ,  C30B 29/40

FI (2)：

C30B 33/00 ,  C30B 29/40 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-352259   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-100215   Applicant：日亜化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• Room-temperature photoenhanced wet etching of GaN
• Homoepitaxy of GaN on polished bulk single crystals by metalorganic chemical vapor deposition
• Spatial distribution of electron concentration and strain in bulk GaN single crystals-relation to gr
• Chemical polishing of bulk and epitaxial GaN