分割アノードめっき装置および電流値決定方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993317596
Publication number (International publication number)：1995173700
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】分割アノードを用いためっき装置で分割アノードの位置、面積、膜厚の実測値等の関係からファジィ推論によって各アノードの電流値を修正、決定する。【構成】分割アノードに対応させてめっき対象物を分割し各範囲のめっきすべき面積を求め、求めた各範囲のめっきすべき面積から各アノードに接続する各電源の電流値を算出し、各電源に算出した電流値を流させて対象物にめっきを行い、めっき後の対象物の膜厚分布を測定し、測定した膜厚分布が良好な場合は後に同じ種類のめっき対象物をめっきするときは現在設定しているめっき電流値を採用する。測定した対象物の膜厚分布が良好でない場合はめっきすべき面積と膜厚データをもとに各電源の電流値をファジィ推論を用いて修正する。

Claim (excerpt)：

めっき槽と、このめっき槽内に設けられ隔壁によって互いに区切られた複数の分割アノードと、それぞれが対応する前記分割アノードに電流を流す複数の電源と、前記めっき槽でめっきされた対象物のめっき膜厚を測定する測定部と、同一種類の対象物を初めにめっきするときは対象物に関するデータから同一種類の対象物を既にめっきしたときは前記測定部で測定しためっき膜厚のデータと対象物に関するデータとから前記電源に流す電流値を算出し決定する解析部と、前記解析部で決定した値の電流を前記電源に出力させる制御部とを含むことを特徴とする分割アノードめっき装置。

IPC (4)：

C25D 21/00 , C25D 17/00 , C25D 17/10 , H05K 3/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-099899
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-078493 Applicant：日本電気株式会社
特開昭54-004828

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